Gesi catalytic converter review, Катализаторы GESi
Ланьярды, брелки. Takafumi Kitazawa. NPT-PushLock фитинги. Термоизоляционный экран. Введение Солнечная энергетика является одной из самых бурно развивающихся в мире отраслей.
Укажите критерии для фильтрации, и система в два клика выведет оптимальные модели девайсов в течение нескольких мгновений. Оригинальный дизайн и высокое качество производимых аксессуаров позволили фирме не только стремительно занять лидирующие позиции на мировом рынке за достаточно короткий срок, но и значительно расширить ассортимент предложений.
Продукция рассчитана на многократное использование и прослужит владельцу многие годы без нареканий. Вам не нужно переживать о том, что, например, потрескается оплетка провода зарядного устройства или usb-кабеля в месте соединения с переходником, пластиковая накладка на заднюю поверхность телефона или планшета треснет при первом перегибе, а кожаное покрытие флипа потеряет презентабельный вид после нескольких недель использования.
Компания имеет собственный отдел исследований и разработок, систему многоуровневой проверки и контроля качества продукции, которые позволяют выпускать эксклюзивные функциональные товары премиум-класса.
Поставки товаров осуществляются на основании договоров, что исключает использование услуг фирм-посредников, серых схем реализации и формирование заоблачной цены на ассортимент. Сотрудники компании сопровождают каждого покупателя на всех этапах совершения покупки, начиная с момента оформления заявки онлайн или по телефону до получения заказа по адресу.
В случае возникновения каких-либо вопросов вам достаточно связаться с нами удобным способом. Менеджеры из службы поддержки оперативно предоставят вам бесплатную профессиональную консультацию, а также помогут оформить заказ в один клик.
Гибкие условия оплаты позволяют оперативно купить Hoco оптом онлайн, не выходя из дома в любом регионе России. Воспользуйтесь отличной возможностью начать собственное дело, основанное на принципе совместных закупок благодаря отличным условиям сотрудничества с нашим интернет-магазином. Откройте мир высококачественной аудиотехники в интернет-магазине Hoco! У нас вы найдете широкий ассортимент аудиопродукции, включая беспроводные наушники Hoco для любителей свободы движений и проводные наушники Hoco для ценителей классического подхода, часы, защитные стекла, аудио колонки.
В наличии кабель USB, зарядные устройства, наушники, автомобильные держатели для телефонов, адаптеры, аккумуляторы. Не забудьте ознакомиться с нашими сетевыми зарядными устройствами Hoco и автомобильными зарядными устройствами, которые обеспечат вашему устройству необходимую энергию в любой поездке. Для тех, кто всегда в движении, наш ассортимент включает портативные аккумуляторы на mAh и кабели USB длиной до 2м, чтобы вы могли заряжать ваши устройства с комфортом.
Наша продукция доступна в различных цветах, включая стильные black и white варианты, которые подойдут к любому вашему устройству. На сайте Hoco вы найдете подробные описания и артикул каждого товара в категориях "аудио", "зарядные устройства" и "разное", что поможет вам сделать осознанный выбор.
Наши смарт-часы и полноразмерные наушники идеально подходят для тех, кто ищет качество звука и функциональность. Мы ценим каждого клиента и предлагаем удобные условия возврата и обработки персональных данных в соответствии с публичной офертой. Если у вас возникнут вопросы, наша команда помощи всегда рада предоставить подробную информацию и обратный звонок в ближайшее время.
Посетите наш сайт и выберите лучшие продукты Hoco для вашего города. Откройте для себя популярные серии и воспользуйтесь текущими распродажами, чтобы приобрести качественные аксессуары по выгодным ценам. Для удобства вы можете связаться с нами через email для получения дополнительной информации. В магазине Hoco всегда в наличии последние новинки и лучшие предложения для вас!
Заказать звонок. Сравнение 0 Отложенные 0 Корзина 0. Личный кабинет. Корзина 0 Отложенные 0. Сравнение товаров 0. Наш магазин, ТЦ Москва, м. Люблино, Тихорецкий бульвар, д. Справочная информация. Hoco оптом — премиум-продукция по демократичной цене Оригинальный дизайн и высокое качество производимых аксессуаров позволили фирме не только стремительно занять лидирующие позиции на мировом рынке за достаточно короткий срок, но и значительно расширить ассортимент предложений.
Все товары Hoco оптом имеют такие особенности: уникальная концепция; простота эксплуатации; долговечность; безопасность; высокие показатели эргономичности. Разделы товаров. Зарядные устройства Наушники и гарнитуры Автомобильные зарядные устройства Автомобильные держатели Чехлы для телефона Универсальные аксессуары Портативные аккумуляторы Колонки и микрофоны Защитные стекла Стекла Apple Watch 1.
USB флешки, карты памяти Чехлы для Airpods Моноподы 2. Зарядные устройства Apple Watch 2. Товары Hoco. По популярности По алфавиту По цене. Быстрый просмотр. Под заказ Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа.
Показать еще. Список брендов. Фильтр по параметрам. Оптовая цена. В наличии. Наши предложения. Хит Новинка Акция. Тип кабеля. Тип адаптера. Выводы Экспериментально установлены наиболее эффективные значения фазового сдвига и частоты МГД перемешивания.
Dropka, N. Miller, U. Rehse, P. Rudolph, F. Sahr, O. Klein, D. Petersburg, Russia Abstract: The paper evaluates the effectiveness of various parameters of the electromagnetic stirring of a silicon melt. Key words: silicon, melt, mass transfer, phase shift, frequency, electromagnetic stirring. Самара Аннотация: Одним из перспективных объектов для разработки наноструктурных систем доставки является пористый кремний.
Цель настоящей работы — обзор литературных источников, включающих вопросы исследования создания лекарственных форм на основе пористого кремния. Ключевые слова: адресная доставка лекарств, пористый кремний, наноконтейнер. Введение Кремний является компонентом всех клеток человеческого организма, его среднесуточное потребление составляет порядка мг. В зависимости от степени пористости, кремниевые частицы могут быть биологически активны, биоинертны или биоразлагаемы [].
Биоинертные материалы не разлагаются в организме человека, но они не являются вредными и легко экскретируются. Мезопористый кремний в организме человека разрушается до мономерных кремниевых кислот []. В настоящее время активно исследуется возможность применения порошков пористого кремния как материалов для наноконтейнеров для транспортировки лекарственных средств [].
Например, в желательное место и время, с соответствующей скоростью высвобождения и подходящей длительностью. Такой уровень управления дает возможность преодолеть неблагоприятные физико-химические биофармацевтические свойства некоторых лекарственных препаратов и в конечном счете повысить их терапевтическую эффективность и безопасность. Одной из главных проблем в нанометровых системах доставки лекарств является изготовление наноносителей с высокой стабильностью в физиологических условиях, которые смогут эффективно инкапсулировать терапевтические агенты и контролируемо выпускать свою полезную нагрузку [7].
Кроме того, управляя развитостью поверхности и пористостью, возможно в перспективе регулировать скорость высвобождения лекарственного препарата и скорость рассасывания контейнера в организме и др. Выводы Таким образом, наночастицы пористого кремния являются перспективным материалом для создания лекарственных форм различного фармакологического действия. Canham L. Handbook of Porous Silicon. Springer, Pochert [et al.
Леньшин [и др. Lenshin [et al. Краснююк И. Фармацевтическая технология. Высокомолекулярные соединения в фармации и медицине. Шевченко В. Исследование, технология и использование нанаопористых носителей лекарств в медицине. The purpose of this work is to review the literature, including the issues of studying the creation of dosage forms based on porous silicon.
Key words: targeted drug delivery, porous silicon, nanocontainer. Самара Аннотация: В данной работе было изучено влияние технологических параметров на вольтамперные характеристики солнечных элементов с наноструктурированным кремнием. Показано, что для структур с развитой поверхностью требуется подбор оптимальных режимов диффузии.
Ключевые слова: кремниевые нанонити, пористый кремний, солнечные элементы, диффузия. Введение Преобразование солнечной энергии в электрическую является важной научно-технической проблемой, связанной с перспективным направлением энергетики будущего. Особенности технологии создания фоточувствительных структур В году была сделана первая попытка изготовить эффективные солнечные батареи на основе кремниевых нанонитей традиционным методом легирования фосфором[1].
На рисунке 1а показаны изготовленные фотоэлектрические элементы на основе кремниевых нанонитей, полученные методом МСХТ с р-n переходом.
Подобные результаты показывают структуры с пористым кремнием рисунок 2 , изготовленные электрохимическим травлением. Различная технология изготовления порообразование до или после диффузии оказывает существенное влияние на эффективность преобразования.
Заключение Таким образом, наиболее эффективной структурой является структура, изготовленная при режиме порообразование до диффузии. Такие структуры, благодаря развитой поверхности, обладают более длинным p-n- переходом, что позволяет генерировать больше электрон- дырочных пар рисунок 2 схема а. Peng K. It is shown, that for structures with a developed surface, the selection of optimal diffusion regimes is required.
Key words: silicon nanowires, porous silicon, solar cells, diffusion. Самара 2 Физический факультет МГУ им. Ломоносова Аннотация: В работе исследуются оптические свойства карбидизированных кремниевых нанонитей SiNW.
В электронике SiC применяется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, МОП-транзисторах и в высокотемпературных тиристорах [1]. Методика эксперимента Образцы были получены путем карбидизации слоев кремниевых нанонитей SiNW. Экспериментальные результаты На рис. Эффективность генерации ВГ в нецентросимметричных кристаллах SiC на несколько порядков выше, чем в исходных образцах SiNW ввиду центральной симметрии решетки последних.
На рис. Сочетание этих данных убедительно доказывает, что в результате карбидизации SiNW происходит формирование нанокристаллов SiC, демонстрируя тем самым возможность оптической диагностики наноструктур SiC. Лобачевского, г. Нижний Новгород Аннотация: В работе сопоставлены результаты исследований влияния низкоинтенсивного низкоэнергетического рентгеновского излучения на электрофизические характеристики структур «кремний на изоляторе» различных производителей.
Ключевые слова: кремний на изоляторе, встроенный заряд, вольт-фарадные характеристики, ртутный зонд. Основная часть Объектами исследований являлись структуры КНИ n- и p- типов проводимости с толщинами слоев , и нм отечественных и зарубежных производителей до и после воздействия различных доз низкоинтенсивного низкоэнергетического рентгеновского излучения. Исследования проводились методами ВАХ, ВЧ и НЧ ВФХ, методом проводимости с помощью системы контроля электрофизических параметров со ртутным зондом, позволяющей выполнять измерения непосредственно на пластине, исключая нанесение контактных площадок [1].
Сопоставлялись данные до и после облучения. Анализируя полученные данные, можно констатировать заметное различие в их радиационном отклике. В области облучения, соответствующей меньшей дозе, в структурах КНИ происходит накопление объемного заряда, и скорость его накопления для них отличается.
При увеличении дозы облучения становится заметной разница наклонов C-V характеристики в области обеднения, что свидетельствует о различной скорости образования поверхностных состояний. Также существенно отличается вид C-V характеристик в области инверсии. При дальнейшем увеличении дозы характер различий сохраняется.
Зафиксированная разница радиационного отклика косвенно свидетельствует о том, что микросхемы, изготовленные на пластинах различных производителей, также будут иметь различия радиационного отклика. Dieter K.
Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization. Novgorod 2Radiophysical Researech Institute, N. Novgorod Abstract: The low-energy low-intensity X-ray radiation effect on SOI structure electrophysical characteristics research results by mercury probe method is concerned here.
Key words: SOI structures, capacitance-voltage characteristics, mercury probe. Вернадского, г. Симферополь Аннотация: Рассмотрен метод получения наноструктурированных углеродных и кремниевых порошковых материалов. Показаны микрофотографии полученного нанокристаллического кремния.
Приведены температурные зависимости проводимости нанокристаллического кремния, фуллерена содержащего материала и кремний-углеродного соединения. Ключевые слова: нанокристаллический кремний, плазмохимический синтез, фуллеренсодержащий материал. Введение В современной микро- и наноэлектронике использование порошковых технологий обладает существенным преимуществом — уменьшение размеров функциональных частей полупроводниковых приборов при относительно дешевизне [1].
В свою очередь использование углеродных порошковых материалов позволит увеличить эффективность полупроводниковых приборов, с параллельным уменьшением себестоимости продукции [2]. Поэтому целью нашей работы являлся анализ кремниевых и углеродных структур, полученных методом плазмохимического синтеза.
Метод получения и микрофотографии Представленные наноструктурированные материалы получены методом плазмохимического синтеза. Суть метода заключается в подаче микро- и макрочастиц в плазму, где они испаряются при температуре oС. Далее атомы исходного материала подвергаются быстрой закалке при встречных газовых потоках. Посредством аэроселекции происходит фильтрование мелких от крупных частиц рис.
Конечном результатом плазмохимической реакции является набор макро- и микрочастиц неправильной формы вставка рис. Температурная зависимость проводимости показала активационный характер, который можно объяснить наличием порошковой проводимости по дефектам границ нанокристаллов.
Рисунок 1 — Схема установки плазмохимического синтеза наноструктурированных порошков После нахождения зависимостей проводимости от температуры были получены зависимости энергии активации. Для кремниевых структур она составила 0,12 эВ, кремний- углеродных — 0,1 эВ и углеродных 0,76 эВ.
Мазинов А. С, Тютюник А. Vernadsky Crimean Federal University, Simferopol, Republic of Crimea, Russian Federation Abstract: A method for obtaining nanostructured carbon and silicon powder materials is considered. Shown are micrographs of the obtained nanocrystalline silicon.
The temperature dependences of the conductivity of nanocrystalline silicon, fullerene-containing material, and a silicon-carbon compound obtained by plasma-chemical synthesis are presented. Key words: nanocrystalline silicon, plasma-chemical synthesis, fullerene-containing material. Лыткарино Аннотация: исследовано распределение вакансионных кластеров в CZ-монокристаллах Ge большого диаметра при различных условиях выращивания.
Ключевые слова: монокристалл германия, метод Чохральского, вакансионные кластеры, ямки травления. Введение Исследование является продолжением работы [1]. Кластеры обнаруживались по появлению плоскодонных ямок травления на поверхности кристаллов Ge которые принимались как след вытравливания вакансионного кластера. Объемную концентрацию кластеров по известной поверхностной концентрации плоскодонных ямок травления, определяли пересчетом из толщины стравленного слоя, дефекты которого оставили ямки на наблюдаемой поверхности [3,4].
Наблюдаемые два типа ямок травления, как теперь можно оправданно предположить, соответствуют известным в кремнии А- и В-кластерам по терминологии Кока. Это подтверждает высказанные ранее соображения о влиянии коалесценции на формирование вакансионных кластеров[1] и открывает путь к получению кристаллов Ge, свободных от вакансионных кластеров. Аношин К. Смирнова Н. Tweet A. De Kock A. Воронкова, Е. Труды Гиредмета, т. Key words: germanium single crystal, Cz-method, vacancy clusters, etching pits.
Серикканов Абай Серикканович, к. Турмагамбетов Тлеужан Сабиржанович, Ph. Алматы, Аннотация: Объектом исследования является металлургический кремний полученный методом карботермического восстановления, а также исследование возможности очистки данного материала металлургическим путем с помощью шлаков от бора и фосфора. Основным материалом, используемым для создания «солнечных» элементов, является кремний.
На основании результатов литературных источников [2,3], а также ряда проведенных нами работ по данной тематике [4,5], дальнейшие работы по отработке и усовершенствованию технологий получения и очистки кремния до «солнечного» качества имеют перспективное значение для кремниевой промышленности Казахстана. Поэтому, в данное время актуальны исследования по прямой очистке металлургического кремния другими методами.
Целью работы является апробирование методики шлаковой очистки рафинирования металлургического кремния от примесей бора и фосфора.
Эксперименты по очистке проводились с использованием индукционной печи и шлаковыми смесями на основе оксида кремния, оксида кальция, фторида кальция, оксида алюминия и др.
В результате проведенных работ был получен улучшенный металлургический кремний с низким содержанием примесей бора и фосфора. SolarPower Europe. Johnston, M. Distribution of impurity elements in slag—silicon equilibria for oxidative refining of metallurgical silicon for solar cell applications.
Jafar Safarian et al. Processes for upgrading metallurgical grade silicon to solar grade silicon. Energy Procedia, 20 , с. Mukashev, Kh. Abdullin, M. Tamendarov, Т. Turmagambetov, B. Beketov, M. Page and D. A metallurgical route to produce upgraded silicon and monosilane. Мукашев, А. Бетекбаев, Д. Калыгулов, А.
Павлов, Д. Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления «солнечных» элементов. ФТП, том 49, вып. Abay Serikkanov, Ph. Turmagambetov Tleuzhan, Ph. Abstract: The object of the research is metallurgical grade silicon obtained by the method of carbothermal reduction, as well as the study of the possibility of cleaning this material by a metallurgical method using slags from boron and phosphorus. Key words: metallurgical grade silicon, refining, elemental analysis.
Ислама Каримова, г. Ташкент, Узбекистан, utkirstar gmail. Ключевые слова: кремний, очистка, отжиг, облучение, травление, поверхность, ионы, спектры. Введение Проблемы уменьшения количества загрязнений и улучшения морфологии поверхности подложек необходимо решать и для производства интегральных схем.
Результаты На рисунке 1 приведены спектр ПТ кремния в процессе травления положительными ионами цезия и последующего отжига. Параллельно показаны дифракционные эффекты, проявляемые в спектрах ПТ [1]. Кривая 1 соответствует спектру ПТ чистого кремния со структурой 7х7.
Как видно из спектра первичный пик смещается в сторону низких энергий, который указывает на снижение работы выхода поверхности, также при этом снижается интенсивность дифракционной компоненты спектра правая част спектра 40эВ. Также исчезают пики при энергии 7,0 и 10,0 эВ, показывающий межзонные состояния кремния.
Пик при энергии 1,0 эВ может соответствовать внедренным междоузельным дефектам цезия на поверхности, так как энергетический уровень пика лежит внутри запрещённой зоны кремния. Дальнейшее увеличение дозы приводит только к увеличению данного пика, остальная тонкая структура спектра не изменяется. При таких температурах идёт диффузия образованных дефектов из объёма на поверхность. Но при этом наблюдается удвоение первичного пика, показывающий появление островков на поверхности кремния.
Также широкий пик при энергии 5,0 эВ тоже уширяется и удваивается. В спектре ПТ появляются максимумы А и В при энергии 6,0 и 7,0 эВ, соответственно, показывающий гибридизацию поверхностных атомов кремния с атомами цезия. Также восстанавливается дифракционная картина спектра ПТ, который показывает восстановление и переориентацию поверхностной структуры.
Полученные данные, дают возможность эффективно проследить за структурой поверхности перед подготовкой образца, которые несомненно имеют важную роль в области микроэлектроники. Комолов С. Интегральная вторично-электронная спектроскопия поверхности. ЛГУ, Key words: silicon, cleaning, annealing, irradiation, etching, surface, ions, spectra. Ростов-на-Дону Аннотация: Использование пленок полуизолирующего кремния, легированного кислородом, типа SIPOS в качестве пассивирующих покрытий полупроводниковых приборов и ИС позволяет повысить пробивные напряжения высоковольтных приборов.
Целью работы является установление влияния содержания кислорода на фазовый состав пленок SIPOS и их электрофизические свойства. Однако современная информация о влиянии содержания оксидных фаз в пленках SIPOS на их электрические свойства противоречива, что затрудняет поиск оптимального режима формирования данных пленок. Фазовый состав плёнок SIPOS определялся стандартным методом рентгеновской дифракции, методом Raman спектроскопии, а также методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии УМРЭС , которая позволяет устанавливать наличие и соотношение аморфных фаз a-Si и a- SiOx, а также кристаллического c-Si.
Matsushita et. ED, P. Домашевская и др. The aim of this work is to establish the influence of the oxygen content on the phase composition of SIPOS films and their electrophysical properties. The part of work was carried out with the support of the Ministry of Science and Higher Education of Russia Federation under the grand No. РАН, д. Новосибирск 2ФТИ им. Новосибирск, Аннотация: Исследовано туннельное магнетосопротивление гранулированных пленок SiCxNy:Fe, полученных осаждением из газовой фазы.
Предложена модель, в которой за счет анизотропии и обменного взаимодействиямагнетосопротивление эффективно развязано с намагниченностью. Ключевые слова: карбонитрид кремния, гранулированные системы, туннельное магнетосопротивление. В зависимости от условий осаждения формируются гранулы разной структуры, размеров и плотности.
Увеличение концентрации железа приводит к увеличению проводимости системы, а изменение структуры гранул изменяет магнитные свойства. Показано, что магнетосопротивление отрицательно в перпендикулярном поле, причем узкий пик R H наблюдается в тех полях, в которых наблюдается и выход намагниченности на насыщение Рисунок 1.
Линия — аппроксимация в рамках предложенной модели. При этом важно, что намагниченность связана с усредненным распределением магнитных моментов гранул, а магнетосопротивление — с распределением углов между намагниченностями соседних гранул.
Показано, что при учете обменного взаимодействия между гранулами и случайной анизотропии формы т. Ilyushenkov et al. Materials, , v. A model is proposed in which, due to anisotropy and exchange interaction, the magnetoresistance is effectively decoupled from the magnetization. Key words: silicon carbonitride, granular systems, tunnel magnetoresistance. Новосибирск Аннотация: Работа направлена на определение условий, при которых в тонкопленочных структурах с разными конструктивными параметрами достигается одинаковое распределение носителей по пленке, необходимое для корректного сравнения подвижности.
Установлено, что распределение носителей в пленках контролируются рядом параметров, определяемых из экспериментальных зависимостей. В тонкопленочных структурах распределение носителей N tSi контролируется потенциалами на двух ГР [1]. При неконтролируемом изменении потенциала хотя бы на одной из ГР и перераспределении носителей по пленке значение подвижности может изменяться без изменения качества пленки [2].
Поэтому сравнение подвижности в тонкопленочных структурах правомерно только при одинаковом распределении носителей в пленках. Анализировались изменения порогового напряжения Vth и N tSi зависимостей от напряжения на TG- затворе при индуцировании канала проводимости со стороны BG-затвора вставка, рис.
Аналогичные зависимости были получены для транзисторов с разной толщиной tSi и tBOX. Необходимым условием сравнения так же является одинаковая плотность индуцированных носителей в пленках. Cristoloveanu, M. Bawedin, I. Hamaide, F. Allibert, F. Andrieu, K. Romanjek, S. It was shown that the carrier distribution is controlled by a number of parameters which can be determined from the experimental dependences of the thin-film transistors. Key words: mobility, thin films, silicon-on-insulator. Новосибирск Аннотация: Изучены проводимость на переменном токе, емкость, угол фазового сдвига и тангенс диэлектрических потерь в МОП-КНИ структурах с наночастицами InSb, ионно- синтезированными в захороненном слое SiO2.
Обнаружен экспоненциальный спад действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости пленок. Ключевые слова: InSb, нанокристаллы, кремний-на- изоляторе, диэлектрическая проницаемость, поляризация. Введение Оксид кремния многие десятилетия сохраняет лидерство в качестве диэлектрика, использующегося при создании КМОП- интегральных схем.
Внедрение в SiO2 металлических и полупроводниковых наночастиц позволяет модифицировать его свойства и существенно расширить области его применения в электронике [1]. В данной работе мы впервые исследовали диэлектрическую проницаемость пленок SiO2 с ионно-синтезированными наночастицами InSb как функцию температуры и частоты.
Проводимость пленок SiO2 с наночастицами InSb имеет два участка температурной зависимости, соответствующих двум механизмам транспорта носителей зарядов. Во всем измеренном диапазоне частот фазовый сдвиг является отрицательной величиной, не зависимо от Т. Это подтверждает емкостной характер структур. Обнаружен их экспоненциальный спад от f при всех Т. Ford A. An exponential decay of the real and imaginary parts of the films complex dielectric constant was found.
Key words: InSb, nano-crystals, silicon-on-insulator, dielectric constant, polarization. Обсуждаются механизмы зависимости структурной стабильности от толщины пленки. Ключевые слова: Si, нанослои, кремний-на-изоляторе, термическая стабильность. Введение Современные тенденции развития электроники связаны с уменьшением размеров активных элементов интегральных схем до нескольких нанометров.
С точки зрения термодинамики создание монокристаллических пленок нанометровой толщины на неупорядоченных подложках в литературе считалось невозможным в силу увеличения вклада поверхностной энергии в полную энергию пленки и изменением усредненного значения координационного числа атомов в пленке [1].
Это может привести к уменьшению температуры плавления пленки по сравнению с температурой плавления объемного кристалла.
Целью данной работы было установление физических условий термической стабильности пленок нанометровой толщины в системе кремний-на-изоляторе. Результаты Структуры кремний-на-изоляторе КНИ диаметром мм с толщиной отсеченного слоя кремния нм и толщиной захороненного слоя SiO2 около нм были созданы методом водородного переноса.
В процессе многоступенчатого окисления в сухом и влажном кислороде слой кремния доводился до толщины 4. Исследования структуры пленок после отжига проводились методами сканирующей электронной микроскопии и спектральной эллипсометрии. Пленки Si толщиной 4. При этом эффективная толщина пленки уменьшается, а ее стехиометрический состав изменяется в пользу роста доли аморфной фазы.
Анализ температурной зависимости изменения толщины пленок и роста аморфной фазы в них показал, что они происходят с одной и той же энергией активации. Для пленок толщиной 4. В первом случае величина энергии активации может быть обусловлена накоплением междоузельных атомов кремния в пленке, за счет проникновения в нее атомов кислорода как извне, так и из захороненного слоя SiO2. В случае пленок меньшей толщины, доминирующим процессом изменения состава является разрыв Si-Si связей.
Тысченко И. It was found that at the higher temperatures film thickness decreases and stoichiometric composition changes with increasing the proportion of the amorphous phase. Mechanisms of structural stability dependence upon film thickness is discussed. Новосибирск Аннотация: ПДП-структуры на основе нанослоев кремния, пара- и сегнетоэлектриков являются основой нано размерной интегральной квантовой, радио-, опто- и нейроморфной электроники, совместимой с промышленной КМОП технологией на кремнии в многофункциональных чипах.
Основная часть Физические пределы масштабирования полевых приборов, предложенных более чем 90 лет тому назад [1], и требования высоконадежной ЭКБ ведут к расширению функциональности и типов интегральных приборов на основе гетероструктур полупроводник-диэлектрик-полупроводник - ПДП. Повышение плотности элементов и увеличение быстродействия увеличивают тепловые потери при ограниченной тепло- и электропроводности аморфных слоев меди, требуя интеграции c монокристаллическими слоями металлов или алмаза.
В ИФП СО РАН накоплен опыт формирования гетероструктур методом прямого сращивания, ионного синтеза и водородного переноса, а также создания новых ПДП гетероструктур с заданными функциональными свойствами для радиационно-стойких логических ИС экстремальной и высоконадежной электроники, для полевых сенсоров физических, химических и биологических объектов, КОИ ИС, нейросетевых ИС, матриц фотоприемников, излучателей и мультиплексоров [2, 3].
Свойства структур, исследуемых по проектам РФФИ , , обеспечивают быстродействие многофункциональность, и энергоэффективность ИС, не уступающие мозгу человека. Method and apparatus for controlling electric currents, Tyschenko, V. Silicon-on-insulator structures produced by ion-beam synthesis and hydrogen transfer. Elsevier, , p. Popov et al. Tarkov, A. Leushin, F. Tikhonenko, I. Acknowledgments: the properties of structures studied under RFPR projects and, provide energy efficiency, high-speed and multifunctional performance of ICs that are not inferior to the human brain.
Новосибирск Аннотация: В данной работе с помощью картин дифракции быстрых электронов на отражение ДБЭО изучались способы контролируемого роста двумерного In2Se3 на подложке Si Согласно экспериментальным данным уменьшение скорости осаждения увеличивает размеры двумерных островков In2Se3. По двухконтактной методике была измерена температурная зависимость сопротивления пленки.
В интервале температур 20—40 К обнаружен второй гистерезис, происходящий без скачка сопротивления пленки. Ключевые слова: ДБЭО, пленки халькогенидов металлов, ван-дер-Ваальсовая эпитаксия, поверхность кремния Введение Изучение новых слоистых двумерных материалов, в частности In2Se3, является динамично развивающейся областью физики конденсированного состояния. Однако, актуальной проблемой интеграции гетероструктур с кремниевой электроникой является поиск способов выращивания пленок In2Se3 с требуемой кристаллической структурой фазой и свойствами на кремниевой подложке.
Методом атомно- силовой микроскопии АСМ показано, что высота атомных ступеней на поверхности пленок составляет около 1 нм, что соответствует высоте молекулярного слоя In2Se3.
Согласно АСМ изображениям 3D островки формировались за счет более быстрого роста кристалла вблизи выходов на поверхность дислокаций с винтовой компонентой. Показано, что уменьшение скорости роста сопровождается уменьшением концентрации 3D островков и увеличением их линейных размеров.
Построена температурная зависимость электрического сопротивления пленки. Poh S. According to experimental data, the deposition rate reduction increases the size of two-dimensional In2Se3 islands.
The temperature dependence of the film resistance was measured by the two-contact technique. Алферова, г. Санкт-Петербург Аннотация: В настоящей работе мы демонстрируем новый подход к формированию GaN слоев на Si подложках с использованием переходного нанопористого подслоя Si por-Si , который впоследствии был модифицирован с помощью техники замещения адатомов с целью формирования буферного слоя 3H-SiC. Ключевые слова: пористый кремний, молекулярно- пучковая эпитаксия, гетероструктуры, нитрид галлия.
Технология и методы исследования Интеграция III-N технологии с кремниевой является актуальной задачей современной науки, так как позволит создавать принципиально устройства, используя преимущества обеих на одном чипе. Эпитаксиальные слои GaN на подложках двух типов выращивались в едином ростовом процессе методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота ПА МПЭ на установке Veeco Gen Por-Si слой толщиной порядка 30 нм, с диаметром пор нм был предварительно сформирован на одной из подложек.
На ФЛ спектрах отчетливо видны пики локализованные около 3. Локализация пика эмиссии около 3. Концентрации носителей составили 9. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда Kukushkin, A.
Osipov et al. Alferova, St. Petersburg Abstract: In this work, we demonstrate a new approach to the formation of GaN layers on Si substrates using a transition nanoporous Si por-Si sublayer, which was subsequently modified using the adatom substitution technique in order to form a 3H- buffer layer. Key words: porous silicon, molecular beam epitaxy, heterostructures, gallium nitride. Acknowledgments: this work was supported by the Russian Science Foundation, grant Terukov mail.
Воронеж 2ФТИ им. Санкт-Петербург Аннотация: в данной работе изучалось образование нанокристаллов кремния в пленках a-SiOx при импульсном фотонном отжиге ИФО. Рентгеноструктурные исследования пленок SiOx с различным содержанием кремния показали, что при ИФО образуются массивы нанокристаллов кремния существенно отличающихся от средних размеров.
Введение Тонкие пленки нестехиометрического оксида кремния a- SiOx с нанокластерами кремния в настоящее время активно исследуются различными лабораториями из-за возможности эффективного управления их оптическими свойствами, как на стадии формирования, так и с помощью технологических обработок [1,2].
Наличие избыточного кремния в таких пленках приводит при высокотемпературных отжигах к росту нанокристаллов [3], что сказывается на оптических свойствах пленок SiOx, в том числе на фотолюминесценции. Поэтому в данной работе проводились исследования формирования нанокристаллов кремния в пленках a-SiOx при импульсном фотонном отжиге ИФО. Эксперимент Пленки SiOx с содержанием нанокластеров кремния 15 мол. Анализ средних размеров нанокристаллов проводился методом рентгеновской дифрактометрии на дифрактометре PANalytical Empyrean B.
В тоже время спектроскопия КРС обнаруживает наличие в пленках SiOx с исходным содержанием нанокластеров кремния 50 и 53 мол. Ундалов, Е. Хенкин, Д. Власенко, Н. Сопинский и др. Терехов, Е. Теруков, и др. Iqbal, S. Veprek, A. Webb and P. Campbell and P. Li, W. Li, Y. Jiang, H. Cai, et. Raman Spectrosc. The presence of excess silicon in such films leads to the growth of nanocrystals during high-temperature annealing, which affects the optical properties of SiOx films, including photoluminescence.
X-ray diffraction studies of SiOx films with different silicon contents have shown that, upon PPA annealing, arrays of silicon nanocrystals of significantly different average sizes are formed. Acknowledgments: the part of work was carried out with the support of the Ministry of Science and Higher Education of Russia Federation under the grand No. Помимо применения в составе твёрдых растворов с Si и Ge, оно используется при создании барьера Шоттки [1] или как сурфактант [2] на поверхности Si.
Изучение фундаментальных процессов диффузии и электромиграции атомов Sn на кристаллической поверхности Si даст информацию, необходимую для создания морфологически совершенных слоёв Sn. Однако, обычные методики анализа структуры поверхности Si не позволяют визуализировать изменения непосредственно в процессе адсорбции, десорбции или электромиграции Sn. Список использованных источников Griffiths C.
B Microelectron. Dolbak A. Введение Вопрос оценки дозы аморфизации Фam Si при ионном облучении от широкого комплекса условий режима имплантации остается открытым.
В работе на основе модели накопления точечных дефектов проведены расчеты Фam в зависимости от массы и энергии ионов, температуры, плотности ионного тока. Генерация вакансий рассчитывалась в гауссовом приближении с учетом интенсивности их образования в приближении Кинчина-Пиза. Результаты Полученные результаты свидетельствуют о существенной зависимости Фam от указанных факторов, в частности, от плотности ионного тока j рис.
Определены пределы применимости использования ДК модели. Исследована зависимость Фam от поверхностной пленки SiO2. Выводы Сравнение расчетных результатов с экспериментальными данными показало возможность использования ДК модели для оценки Фam Si при облучении легкими ионами. Окулич Е. C A method for calculating the dose of amorphization of silicon in the region of the gate dielectric is proposed.
Key words: ion implantation; amorphization of silicon; irradiation with light ions; amorphization dose; amorphization of silicon dioxide. Москва Аннотация: в работе предлагаются и исследуются материалы для диффузионных барьеров в методе gap filling для предотвращения диффузии меди через открытые концы проводников.
Ключевые слова: low-k диэлектрик, gap filling, dual damascene. Данный метод основан на предварительном формировании медных проводников и последующим заполнением диэлектриком зазоров между ними [2]. Основными проблемами в подходе gap filling являются формирование диффузионного барьера между открытыми участками меди и диэлектриком и поиск материала для такого барьера.
Необходимыми требованиями к диффузионным барьерам являются: хорошая адгезия к нижележащим слоям; отсутствие диффузии и электромиграции меди, минимальная толщина. Важно, также, обеспечивать хорошую равномерность нанесенного барьера при минимальной толщине, что трудно достигается, например, при химическом осаждении из газовой фазы PECVD. Основная часть Целью данной работы является исследование диффузионного барьера из материала AlN, который наносился методом атомно-слоевого осаждения ALD на сплошные слои меди и структуры, представляющие собой медные линии с расстоянием между ними до нм.
Толщина барьера для разных структур составляет 6 и 10 нм. Измерения образцов проводились методами растровой электронной микроскопии РЭМ , а также снятием вольтамперных и фарад частотных характеристик. Валеев А. Zhang, J. Heylen, G.
Murdoch [и др. Damage free integration of ultralow-k dielectrics by template replacement approach. Key words: low-k dielectric; gap filling; dual damаscene. Предложены методы их снижения, определены требования к резистивности Si подложки с учетом особенностей роста гетероструктуры. Технические ограничения главным образом обусловлены высоким уровнем затухания СВЧ мощности в линиях передач, реализованных на Si.
Баранов Г. Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники. Yang W. Ромодин М. Электроника, фотоника и молекулярная физика. Methods for reducing of losses were proposed. Долгопрудный Аннотация: Данная работа посвящена исследованию процессов взаимодействия химически активных частиц с поверхностью кремния, в процессе глубокого анизотропного травления методом Cryo.
Введение В данной работе рассматривается взаимодействие химически активных частиц с поверхностью кремния в процессе глубокого анизотропного травления методом Cryo. Представлено количественное описание кинетических процессов, происходящих на поверхности и в объеме протравливаемых структур основанное на методе Лангмюр- Хиншенвульда. Описание работы Гетерогенное взаимодействие частиц с поверхностью включает в себя три последовательные стадии — адсорбцию ХАЧ химически активных частиц на поверхности, химическую реакцию и десорбцию образующихся продуктов реакции, каждая из которых может быть лимитирующей [1].
Реальная кинетика процесса травления будет определяться закономерностями протекания наиболее медленной из трех названных гетерогенных стадий [2]. Для описания кинетики взаимодействия ХАЧ плазмы с поверхностью часто используется адсорбционно- десорбционная модель гетерогенного процесса, основанная на теории активных центров Лангмюра-Хиншенвульда.
Поверхность обрабатываемого материала рассматривается как совокупность активных центров, способных присоединять ХАЧ из объема плазмы [3]. Попадающая на поверхность частица адсорбируется с вероятностью, зависящей от природы частиц, температуры и состояния поверхности рисунок 1. В данной работе представлен анализ влияния различных параметров системы ПХТ на скорость травления в криогенном процессе. Красников Г. Ефремов А. Вакуумно- плазменные процессы и технологии.
Belen R. A method is proposed for quantitative estimation of kinetics of particles based on the adsorption-desorption model of Langmuir adsorption kinetics. Key words: deep etching of silicon, kinetics, cryogenic etching, kinetics of interaction with the surface, Langmuir method.
Черноголовка, dev issp. Для выделения вклада поверхностных состояний используется стационарный и нестационарный эффект Джозефсона, для чегор реализованы гибридные структуры сверхпроводник-топологический полуметалл-сверхпроводник. Введение Подобно другим топологическим материалам, Веилевские полуметаллы характеризуются топологически защищенными поверхностными состояниями — Ферми-арками, соединяющими проекции веилевских точек на поверхностную зону Брюллиэна в к-пространстве [1].
В отличие от геликоидальных поверхностных состоянии в топологических изоляторах [2], поверхностные состояния в веилевских полуметаллах являются киральными, как в черновском изоляторе режим квантового эффекта Холла [1]. Результаты В даннои работе мы экспериментально исследовали электронныи транспорт между двумя сверхпроводящими контактами на поверхности магнитного Веилевского полуметалла Co3Sn2S2, находящимися на расстоянии 5 мкм.
Для магнитно разупорядоченного состояния Co3Sn2S2, мы наблюдаем лишь процесс Андреевского отражения вблизи каждого контакта, что, однако, означает высокую прозрачность интерфеиса индии-Co3Sn2S2. После намагничивания образца внешним магнитным полем, образец демонстрирует выраженныи аномальныи эффект Холла. В этом режиме мы обнаружили джозефсоновскии ток между 5 мкм разделенными индиевыми контактами, с необычными зависимостями максимального тока от магнитного поля и температуры.
Для немагнитного веилевского полуметалла WTe2, мы обнаружили, что характер подавления критока магнитным полем качественно различается для разных ориентации поля по отношению к плоскости SNS перехода, в частности, продемонстрирована картина осцилляции, известная для джозефсоновского интерферометра. Этот факт, как и наблюдение дробных ступенеи Шапиро под микроволновым облученим то есть сложного характера ток-фазного соотношения , указывает на существование и интерференцию нескольких каналов переноса джозефсоновского тока.
Анализ показывает, что джозефсоновскии ток переностится поверхностными состояниями на противоположных гранях образца. В то же время, мы не наблюдаем исчезновения нечетных ступенеи Шапиро даже при максимальных мощностях СВЧ излучения, что указывает на киральныи, а не геликоидальныи как в топологических изоляторах характер поверхностных состоянии.
Подробнее см. Armitage, E. Mele, and A. Hasan and C. Wang, Y. B — , vol. Wu, D. Mou, N. Shvetsov, V. Esin, Yu. Barash, A. Timonina, N. Kolesnikov, and E. Shvetsov, A. Kononov, A. Kolesnikov, E. For surface states contribution the stationary and nonstationary Josephson effect realized at superconductor- topological semi-metal-superconductor hybrid structures is applied. Key words: Weyl topological semimetals, surface states, ferro- magnetics, Josephson effect.
Воронеж Аннотация: При магнетронном и ионно-лучевом способах получения композитных пленок Al-Si могут формироваться метастабильные фазы, такие как Al3Si.
В настоящей работе проводились исследования области устойчивости фазы Al3Si в зависимости от состава ионно-лучевых пленок AlxSi1-x. С помощью методов рентгеновской дифракции и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии в ионно-лучевых плёнках Al1-xSix обнаружено формирование упорядоченного раствора Al3Si с примитивным типом элементарной ячейки кубической сингонии Pm3m и параметром решетки, равным 4. Ключевые слова: метастабильная фаза Al3Si, атомное и электронное строение, ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия.
Однако литературные данные показывают, что при сверхбольших скоростях охлаждения растворов Al-Si возможно образование метастабильных фаз [2], которые внесены в международную систему данных.
Поэтому при осаждении таких горячих частиц на холодную подложку можно ожидать образование метастабильных фаз. Поэтому в настоящей работе проводились исследования области устойчивости фазы Al3Si в зависимости от состава ионно-лучевых пленок: Al0. В результате исследований методом рентгеновской дифракции в ионно-лучевых пленках Al1-xSix обнаружены только рефлексы фазы Al3Si при отсутствии рефлексов кремния и алюминия. Анализ распределения валентных состояний кремния и алюминия показал образование низшего силицида алюминия.
Таким образом сделан вывод о формировании упорядоченного раствора Al3Si с примитивным типом элементарной ячейки кубической сингонии Pm3m и параметром решетки, равным 4. Кроме того, дальний порядок в ионно-лучевых плёнках Al1-xSix достаточно устойчив к изменению элементного состава. Murray, A. Alloy Phase Diagrams. Кушнерева, А. Неорганические материалы, , Т. Terekhov et. Solid State. In this work, we investigated the stability region of the Al3Si phase depending on the composition of the ion-beam AlxSi1-x films.
Using X-ray diffraction and Ultrasoft X-ray Emission Spectroscopy, an ordered Al3Si solution with a primitive unit cell of the cubic system Pm3m and a lattice parameter of 4. Studies have shown that the long-range order is quite resistant to changes in the elemental composition. Acknowledgments: the reported study was carried out with the support of the Ministry of Science and Higher Education of Russia Federation under the grand No.
В экспериментах использовались лазеры: на парах меди с длинами волн ,6нм и ,2нм; ультрафиолетовый лазер с длиной волны нм. Диапазон рабочего давления — от атмосферного до 1хТорр. Техническим результатом является возможность лазерного плазмохимического фрагментирования пластин поликристаллического алмаза и сапфира без «выброса» грата материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры, без модификации материала подложек.
Ключевые слова: поликристаллический алмаз, сапфир, оптический пробой, плазмохимическое травление пластина. Введение В настоящее время, при переходе к нано нормам и нано слоям топологических элементов создаваемых электронных приборов особо актуальной становится операция фрагментирования пластин на кристаллы. Все существующие, на данный момент, методы — механические, лазерные не обеспечивают повышенные требования к этой операции — отсутствие выброса материала подложки грат на поверхность с сформированными приборами, отсутствие или минимизация «замороженных» механических или термонапряжений в кристаллах, которые при внешних экстремальных условиях эксплуатации приборов «разряжаются», что приводит к выходу приборов из-за механических повреждений подложка трещит.
С учётом этого, проектировщики закладывают широкие «дорожки» для осуществления операции резки. Это уменьшает полезное использование площади пластин для размещения приборов, а значит удорожает их. Целью настоящей работы была разработка технологий исключающих выброс материала подложек грат , уменьшение ширины реза, исключение остаточных термонапряжений в стенках реза кристалла.
Поставленная цель решалась посредством локального плазмохимического травления [1]. Для создания плазмы использовалось физическое явление — оптический пробой газа. Экспериментальная часть Все наши эксперименты проводились на разработанных нами макетных установках. С помощью оптической системы мы фокусировали лазерный луч с требуемой длиной волны на пластину, с помощью вакуумной системы создавали условия для оптического пробоя среды и перемещая пластину осуществляли локальный процесс её плазмохимического травления.
Диаметр плазменного образования в фокусе составлял 5 — 20 мкм в зависимости от длины волны лазера, расходимости пучка и т. Поскольку при химической реакции в обрабатываемой пластине не создаются механические напряжения и материал подложки не выбрасывается на поверхность кристалла, тем самым мы решили поставленную задачу. Результаты экспериментов представлены на рисунках 1 — 5.
Заключение Разработаны технологии лазерного плазмохимического фрагментирования пластин поликристаллического алмаза и сапфира. The following lasers were used in the experiments: - on copper vapors with wavelengths of Working pressure range varied from atmospheric pressure to 1x Torr. Key words: polycrystalline diamond, sapphire, optical-induced breakdown, plasma-chemical etching, plate.
Томск Аннотация: В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского—Крастанова. Введение Важнейшую роль при описании процессов роста эпитаксиальных наноструктур по механизму Странского— Крастанова играют понятия равновесной и критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту [1].
Первая величина определяет толщину смачивающего слоя осаждаемого материала, при которой фазовый переход 2D-3D становится энергетически возможным. Вторая же определяет толщину смачивающего слоя, при которой зарождение трехмерных островков идет наиболее интенсивно и которая может быть зарегистрирована экспериментально по изменению картины дифракции быстрых электронов.
Она определяется из уравнения кинетического баланса процессов осаждения атомов на подложку и потребления атомов смачивающего слоя растущими островками. Теоретическая модель В данной работе строится кинетическая модель роста двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского— Крастанова, учитывающая влияние зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала [2].
В качестве модельной системы для проведения теоретических расчетов используется зарождение и рост квантовых точек германия на поверхности кремния На основе полученных зависимостей от толщины поверхностных энергий и рассогласования по параметру решетки между осаждаемым материалом и подложкой строится кинетическая модель для расчета параметров формируемых структур, обобщающая ранее использовавшуюся модель Мюллера—Керна.
Рассматривается изменение свободной энергии при переходе атомов из смачивающего слоя в островок в таких системах. В этом приближении получен ряд неожиданных результатов, уточняющих традиционные термодинамические модели. Lozovoy K. Zhou Y. С 1—9. Key words: two-dimensional materials, quantum dots, molecular beam epitaxy, silicon, germanium. The reported study was funded by Russian Science Foundation according to the research project No. Лабораторией1, dvurech isp. Новосибирск Аннотация: Исследовалась кристаллическая структура пленок, формируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии МЛЭ CaSi2 на Si при облучении электронами Методом комбинационного рассеяния света КРС установлено, что на границе подложки кремния и эпитаксиально растущей пленки CaF2 под воздействием электронного пучка происходит формирование пленки CaSi2.
Введение В последнее время среди силицидов, которые можно выращивать эпитаксиально на кремнии, CaSi2 удостоился внимания, поскольку он имеет слоистую кристаллическую структуру, состоящую из гексагонального бислоя Si и тригонального монослоя Ca.
Эта структурная особенность CaSi2 представляет интерес, поскольку может применяться для синтеза новых 2D структур на основе кремния. Показано, что при росте CaF2 на Si в области воздействия пучка электронов меняется морфология поверхности и химический состав пленки. Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света КРС установлено, что на границе подложки кремния и эпитаксиально растущей плёнки CaF2 под воздействием электронного пучка происходит формирование плёнки CaSi2.
Castillo, Z. Tang, A. Litvinchuk, A. D, kamaev isp. Новосибирск Аннотация: в работе проведены исследования особенностей формирования межслойной гетерограницы кремний-сапфир, полученной методом прямого сращивания, как с промежуточным аморфным диэлектриком оксиды Hf, Zr, Al; AlN , так и без него.
Приводятся результаты структурных и электрофизических исследований указанных структур. Ключевые слова: кремний, сапфир, гетеропары, high-k диэлектрики. Содержание работы Нами разработан новый, совместимый с DeleCut технологией КНИ, способ переноса слоя кремния на пластины сапфира и поликристаллического корунда, основанный на «горячем» соединении в вакууме поверхностей гетеропар водородно-ковалентными связями после ионно-плазменной активации.
Такой подход позволяет не только избежать формирования чувствительного к ионизирующему излучению и ухудшающего теплоотвод промежуточного слоя оксида кремния между кремнием и сапфиром, но и контролировать величину встроенного заряда на гетерогранице кремний-сапфир, возникающего при отжиге из-за окисления кремния.
Образцы структур КНС, полученные описанным способом, продемонстрировали нормальные сток-затворные характеристики псевдо-МДП-транзисторов на их основе с подвижностью, как в объёмном кремнии.
Исследование поперечных срезов этих структур методом просвечивающей электронной микроскопии выявило структурное совершенство как перенесённых ультратонких плёнок кремния, так и гетерограницы с high-k диэлектриком. Также выяснено, что высокотемпературные отжиги могут приводить к деградации транспортных свойств приборного слоя кремния. Проводимости слоёв кремния-на-сапфире КНС со встроенными на гетерогранице тонкими диэлектрическими слоями исследованы методом псевдо-МОП транзистора [1].
К истоку и стоку прикладывалось тянущее напряжение, во всех случаях 10 В. Расчёт методом Y-функций позволил установить значения подвижности носителей заряда, величин встроенного заряда и плотности состояний на гетерогранице. Cristoloveanu S. The results of structural and electrophysical studies of these structures are presented. Key words: silicon, sapphire, heteropairs, high-k dielectrics.
Москва, Зеленоград Аннотация: Целью данной работы было усовершенствование существующей технологии глубокого анизотропного травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур, а именно поднятие селективности к маске и уменьшение шероховатости поверхностей.
Ключевые слова: глубокое травление кремния, «Bosch»- процесс, трехмерная сборка, 3D-сборка, гладкие стенки, низкая частота, высокая селективность.
Разряд зажигается в реакционной камере диаметром мм. Для задания необходимого отрицательного смещения на охлаждаемый электрод-подложкодержатель от отдельного НЧ генератора частота до кГц, мощность до Вт через согласующее устройство подавалось смещение. Результаты экспериментов Эксперименты проводились на пластинах диаметром мм. На пластинах предварительно были сформированы маски из оксида кремния толщиной 0,6 мкм и фоторезиста толщиной 3,15 мкм.
На фоторезисте присутствуют отверстия диаметрами 8 и 12 мкм. Гущин и др. Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование, производство и применение, стр. Амиров и др. Амиров И. Долгопрудный, serega. Ключевые слова: контактное окно, барьерные слои, сопротивление, адгезия. Введение До сих пор для заполнения контактных окон к транзисторной структуре используется вольфрам, несмотря на его более высокое удельное сопротивление, чем у меди.
Связано это с тем, что медь быстро диффундирует в кремнии и образует глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника. Поэтому переход к использованию меди для заполнения контактов требует разработки надежных барьерных слоев.
Был проведен эксперимент с нанесением выбранных слоев на пластину, последующим отжигом, и исследованием его влияния на поверхностное сопротивление рис. После чего были изготовлены пластины с контактными окнами и исследовано влияние некоторых параметров процессов осаждения барьерных слоев и зародышевого слоя меди на заполнение контактных окон с большим аспектным отношением. Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС: пат.
Горохов С. Khandelwal A. Key words: vias, barrier layers, resistance, adhesion. Москва, Зеленоград Аннотация: в данной работе рассматриваются существующие методы атомно-слоевого осаждения плёнок кобальта, рутения и их оксидов для применения их в различных целях в области микроэлектроники.
Введение В данной работе представлен обзор работ по атомно- слоевому осаждению ALD, atomic layer deposition кобальта, рутения и их оксидов на кремниевые подложки. ALD используется для нанесения сверхтонких однородных слоёв различных структур например, зародышевых слоёв металлов для их последующего нанесения , Особенное внимание учёных в последние годы привлекает использование ALD при 3D- интеграции, которая является одним из перспективных методов для уменьшения размеров СБИС [1].
В качестве зародышевого слоя для меди рассматривается кобальт из-за его высокой электропроводности и увеличения эффективного пространства для заполнения покрытия [2]. Традиционно, для нанесения диффузионных и зародышевых слоёв использовался метод PVD physical vapor depositon, физическое газофазное осаждение , однако при достижении размеров 30нм и ниже этот метод малоэффективен, что позволяет изучить ALD как его замену.
Также атомно-слоевое осаждение всё более широко используется для производства различных видов памяти. Выводы Для нанесения плёнок кобальта, рутения и их в основном используются металлоорганические прекурсоры например, Co EtCp 2 и RuCp2 в сочетании с плазмой аммиака или кислорода. Требуется дальнейшее изучение процессов осаждения данных металлов и их оксидов с целью улучшения параметров плёнок, уменьшения температуры осаждения и возможного увеличения скорости осаждения.
